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SK海力士将采用英特尔EMIB封装技术：打造下一代HBM_我的网站
一 | 8月24日消息，据Wccftech报道，SK海力士近日详细阐述了其HBM技术路线图的加速路径，核心举措包括引入EMIB封装方案，并明确将3D集成作为长期目标。
二 | 当前，HBM通过TSV（硅通孔）技术将多层DRAM芯片堆叠于基础裸片之上，最高可支持16层堆叠。
三 | HBM与计算模块（XPU，涵盖GPU、TPU等）相互独立，通过2.5D封装共同安装于同一中介层。 △美国开放人工智能研究中心办公楼（资料图） 美国开放人工智能研究中心（OpenAI）21日承认，该公司的GPT-5.6 Sol模型和另一款能力更强的预发布模型联合进行内部评估时失控，突破隔离测试环境，侵入了人工智能开源平台美国抱抱脸公司的系统。
每个HBM模块配备1024位I/O接口（共16通道），通过物理接口层（PHY）与XPU相连。
四 | 抱抱脸公司此前表示，上周，其生产基础设施遭到一个“自主”人工智能代理系统的入侵。在取证分析时，由于美国前沿模型“无法区分事件响应方和攻击者”，他们转而采用中国模型分析攻击者数据。而下一代HBM4将首次将I/O接口扩展至2048位，这将是自2015年HBM问世以来的最大规格变革。 在封装工艺上，目前主要存在两大技术路径：热压键合配合非导电膜（TC+NCF）和整体回流焊配合模塑底部填充（MR+MUF）。前者在应对芯片翘曲方面更具优势，但热阻较高且生产效率偏低；后者生产效率更高、热阻更低，却更易出现翘曲及间隙填充缺陷。 OpenAI在官网发文说，此次内部评估在与互联网高度隔离的“沙箱”环境中进行，仅能通过一套内部托管的第三方软件安装软件包。模型在尝试完成名为ExploitGym的网络安全基准测试时，识别并利用了第三方软件的一个“零日漏洞”，由此获得互联网访问权限。
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面向未来，SK海力士计划引入混合键合技术，以消除芯片堆叠中的凸块并缩小间距。同时，公司正在开发名为“I-HBM”的局部散热技术（类似三星的HPB方案），旨在优化传热路径，更高效地分散热量，为更高层数的堆叠铺路。模型推断抱抱脸平台可能存有ExploitGym测试相关的模型、数据集和解决方案，利用多种攻击手段找到进入抱抱脸系统的路径。 OpenAI安全团队发现内部异常活动，抱抱脸安全团队在其基础设施上检测到并阻止相关活动，双方正在展开联合调查。 在2.5D封装解决方案方面，SK海力士目前已在传统CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S之外，新增了英特尔的EMIB技术，形成更丰富的异构集成选项。 此外，市场传言SK海力士与英特尔有望在存储领域组建合资公司，进一步深化合作。
六 | 同时，与三星类似，SK海力士也在积极推进3D垂直堆叠方案，将HBM直接置于计算模块之上，以突破现有封装架构的带宽和能效瓶颈。
七 | 抱抱脸方面表示，目前仍在评估是否有合作伙伴或客户的数据受到影响，尚未发现模型、数据集或应用空间遭到篡改。在调查过程中，抱抱脸使用人工智能分析了包含逾1.7万条记录的攻击行动日志，以重建时间线、识别受影响情况并区分真实攻击行为和干扰活动。
八 | 模型网络安全能力快速提高的同时，内部评测环境、模型行为控制和安全防护措施等也需要同步加强。
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